二、主要研究方向
博士后将根据专业背景参与以下一个或多个研究方向：
金刚石半导体材料生长与调控，包括CVD外延生长、掺杂、缺陷控制及材料表征；
宽禁带/超宽禁带半导体材料与器件研究，包括Diamond、GaN、SiC、Ga₂O₃等；
金刚石功率半导体器件设计与制造；
半导体微纳加工与器件制造工艺开发；
高压、大功率及高频半导体器件设计与性能优化；
有限元分析（Finite Element Analysis, FEA）及多物理场仿真；
半导体器件TCAD建模与仿真；
电学、热学及电-热耦合器件特性分析；
功率器件击穿、可靠性及失效机制研究；
金刚石功率器件及功率集成电路相关前沿技术研究。